Micron推出OLC NAND,难道只能读取的SSD?

发布时间:2019/8/16

众所周知,市面上卖的SSD分为SLC、MLC、TLC、QLC 4种NAND Flash。其中SLC的读写速度最快,读错最低,使用寿命最长。只有价格最高,容量也比平时小。上述NAND Flash的优点随着MLC和TLC慢慢减少。也就是说TLC的读写速度比MLC慢。

Micron推出OLC NAND,难道只能读取的SSD?


为此,制造厂去年末发售了QLC的SSD的时候,为市场提供了便宜高容量的产品,不过,消费者做着嘘声。有QLC SSD的耐久性和读写速度太慢这样的问题。但是,最近有消息称,miron将在今年Q 1或Q 2每单位发售8 Bit资料的Octa Level Cell(OLC)NAND Flash。那个时候,速度会慢到失去SSD的意思吗?

来自Wcftch的讯息

老实说,Google“OLC NAND Flash”除了基本各国的媒体报道这个新闻以外,应该没有找到有关OLC NAND的结果。因为OLC NAND只来自外部的媒体Wcftch的报道,这个产品是不是存在完全不能确定。Wcftech说着用这个文章他们掌握了垄断的消息。微软将于本季或下季发售OLC NAND Flash。

Wcctech在文章的开头接受了Micron的官方回复,不过,他们说制作着谎言的新闻。但是,他们坚决表明这篇文章的证据如山。另外,微软确认了OLC NAND的发表。哪个不好,信不信由你决定。但是,看Wcftech的文章,怎样介绍OLC NAND?请吃花生米看戏。

每个单元存储1 Byte。

虽然我自负自己没有像Wcftch那样的专业性,但是对于其他媒体的评论也很不方便。Wcftech在这篇文章中感到OLC NAND的技术著墨太少了。介绍SLC、MLC、TLC、QLC的规格变化,回顾QLC发售时带来的供给影音,推测OLC NAND登场时有OLC。可能供不应求,但市场逐渐消化,供求平衡等也逐渐明朗化。

关于OLC NAND的具体规格和技术,OLC是对各单元(Cell)保存8 Bit的资料,是世界首个单元存储在1 Byte资料的技术,保存容量比QLC的4 Bit翻倍,放大比摩尔法则大。并且,OLC说明着能长期性地降低SSD的价格。SSD市场的竞争更激烈。同时,复数的信息源再次确认了Micron向他发售OLC。

OLC应该不存在。

有不足为说的根据。要看大家的判断了。只是,Wcftch的文末消息,Wcftch全部是假的新闻这样的批判被寄(移)。在分析这个消息之前,介绍NAND Flash的动作原理。每当SSD写入或删除资料时,就会有通过Oxide氧化层的“门”的电子,从Source和Drain之间流出\/流出,流入浮动栅栏中,因此每次写入Oxide层都会发生损失,SSD的耐久性会更低对。另一方面,NAND Flash单元中存储的数据全都取决于电子的流动、位置和数量。

例如,SLC只有1 Bit,因此仅凭电子的数量就判断为0或1。2 Bit的MLC有2^2=4种电压状态。包括00、01、10、11在内,需要更准确的判断。QLC增加到2^4=16种电压状态,从0000到111,对度量电子的数量的基准度更严密。所以,QLC的错误率理论上高于SLC。

刚才也说了,如果填写资料,Oxide层日益亏损。受到一定程度的损害的话,引起电子泄漏,能进入错误的位置。对于SLC来说,即使有一点点电子搞错位置也没关系。继续操作。只需判断0或1。但是,QLC要求精密。即使少量的电子错了位置,也从1110到111。因为犯了大的错误,不象SLC一样地持久。Octa Level Cell(OLC)更不用说,电压的状态分为2^8=256种,超过了极限了吗?

OLC是领先Only的SSD吗?

返回Wcftech的注释,OLC需要256种电压状态,即至少需要256个电子,但每个单元没有256个电子,因此“知道不需要Micron解释,就不可能存在OLC””密度的过程,即使使用极端特殊的量子存储体,也不会发生这两个。笔者不熟悉物理,无法判断上述理论的真伪。而且科学技术正在一天千里地发展。我相信R&D能够解决问题,克服技术限制。但问题是时间点,毕竟16种电压的QLC也是出世不久,如果在2019年上半年上市准确识别256种电压状态的OLC,它觉得不可能,也给QLC的销售带来严重影响。

关于OLC的定位,QLC的写入次数和耐久性充分地低,问题进入OLC的话,Wcftch的用户笑在吗?那么用传统硬盘比较好吗?还有,可以说是「利用可能」的SSD吗?

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